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IRF540场效应管参数及引脚图功能

IRF540是一种N沟道增强型硅栅极场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关稳压器、开关转换器继电器驱动器等。在逆变器电路中使用它们的原因是因为它是一个高开关晶体管,可以在非常低的栅极驱动功率下工作,并且具有高输入阻抗。

IRF540场效应管

IRF540核心参数:

额定电压(DC): 100 V

额定电流: 28.0 A

漏源极电阻: 77.0 mΩ

极性: N-Channel

耗散功率: 150 W

漏源极电压(Vds): 100 V

漏源击穿电压: 100 V (min)

栅源击穿电压: -20.0 V to 20.0 V

连续漏极电流(Ids): 28.0 A

上升时间: 44.0 ns

安装方式: Through Hole

封装: TO-220.

IRF540引脚功能:

1.jpg

IRF540引脚功能

Gate: 这个引脚是控制MOSFET导通和截止的输入端口。向这个引脚施加正电压将使MOSFET通导。

Drain: 这个引脚是MOSFET的高侧(或输出)连接端口。在正常工作情况下,这个引脚连接到电源电压。

Source: 这个引脚是MOSFET的低侧(或地面)连接端口。在正常工作情况下,这个引脚连接到电路的接地点。

标签: IRF540
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网址:https://pdf.jiepei.com/article/122.html

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