5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRF520NSTRLPBF
IRF520NSTRLPBF PDF预览

IRF520NSTRLPBF

更新时间： 2024-02-18 07:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 186K
描述
暂无描述

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF520NSTRLPBF 数据手册

 浏览型号IRF520NSTRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF520NSTRLPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF520NSTRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF520NSTRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF520NSTRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF520NSTRLPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD-91340A  
IRF520NS/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRF520NS)  
l Low-profile through-hole (IRF520NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.20Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 9.7A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.  
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device  
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety  
of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die  
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest  
possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is  
suitable for high current applications because of its low internal connection  
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF520NL) is available for low-profile applications.  
2
T O -262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
9.7  
6.8  
38  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
48  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.32  
± 20  
91  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
5.7  
4.8  
5.0  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.1  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
5/13/98  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRF520NSTRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF520NSPBF INFINEON

类似代替

 Advamced {rpcess Technology Surface Mount
IRF520NS INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

与IRF520NSTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF520NSTRR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-263AB
IRF520NSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF520PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF520PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF520R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | TO-220AB
IRF520S MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF520S, SiHF520S VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF520STRL VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF520STRLPBF VISHAY

获取价格

 		暂无描述
IRF520T MOTOROLA

获取价格

 		9 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

与IRF520NSTRLPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证