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IRF520NS PDF预览

IRF520NS

更新时间： 2024-02-16 23:07:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 186K
描述
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

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IRF520NS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：44 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.6 A最大漏极电流 (ID)：9.6 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：44 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF520NS 数据手册

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PD-91340A  
IRF520NS/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRF520NS)  
l Low-profile through-hole (IRF520NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 100V  
RDS(on) = 0.20Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 9.7A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.  
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device  
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety  
of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die  
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest  
possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is  
suitable for high current applications because of its low internal connection  
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF520NL) is available for low-profile applications.  
2
T O -262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
9.7  
6.8  
38  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
48  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.32  
± 20  
91  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
5.7  
4.8  
5.0  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.1  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
5/13/98  
1234567...10

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IRF520NS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF520NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 暂无描述
IRF520NSPBF INFINEON

类似代替

 Advamced {rpcess Technology Surface Mount
FQD13N10LTM FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRF520NS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IRF520NSTRLPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF520NSTRR ETC

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IRF520NSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
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IRF520S MOTOROLA

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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF520S, SiHF520S VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET

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