IRF520PBF

更新时间： 2024-01-03 08:33:08

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IRF520PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	44 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.6 A	最大漏极电流 (ID)：	9.6 A
最大漏源导通电阻：	0.165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	44 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD - 94850

IRF520PbF

• Lead-Free

www.irf.com

11/25/03

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF520R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 9.2A I(D) \| TO-220AB
IRF520S	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF520S, SiHF520S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF520STRL	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF520STRLPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF520T	MOTOROLA	获取价格	9 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF520U2	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF520UA	MOTOROLA	获取价格	9A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF520V	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
IRF520V	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB