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IRF520VSTRR

更新时间： 2024-02-04 11:34:27
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页数 文件大小 规格书
10页 130K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB

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IRF520VSTRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：44 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.6 A最大漏极电流 (ID)：9.6 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：44 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF520VSTRR 数据手册

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PD - 94306  
IRF520VS  
IRF520VL  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 100V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.165Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Optimized for SMPS Applications  
ID = 9.6A  
S
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating  
die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the  
lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal  
connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface  
mount application.  
D2Pak  
IRF520VS  
TO-262  
IRF520VL  
Thethrough-holeversion(IRF520VL)isavailableforlow-profileapplications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Pulsed Drain Current ‡  
9.6  
6.8  
A
37  
44  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.29  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current  
9.2  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ‡  
Operating Junction and  
4.4  
mJ  
V/ns  
7.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.4  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted, steady state)**  
–––  
www.irf.com  
1
01/18/02  
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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