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IRF520V

更新时间： 2024-02-05 14:03:12
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 201K
描述
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)

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IRF520V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：44 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.6 A最大漏极电流 (ID)：9.6 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：44 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF520V 数据手册

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PD - 94092  
IRF520V  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 100V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.165Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Optimized for SMPS Applications  
ID = 9.6A  
S
Description  
AdvancedHEXFET® PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremelylowon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220 contribute  
to its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
9.6  
6.8  
A
37  
44  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.29  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current  
9.2  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
4.4  
mJ  
V/ns  
7.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
3.4  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/30/01  
12345678

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