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IRF521-001

更新时间： 2023-04-15 00:00:00
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRF521-002 INFINEON Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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IRF521-002PBF INFINEON Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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