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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.58 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF520FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRF520FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF520FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF520L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
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| IRF520L | MOTOROLA |
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9A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF520N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A) |
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| IRF520NL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-262 |
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| IRF520NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advamced {rpcess Technology Surface Mount |
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| IRF520NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF520NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) |
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