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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF332R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA |
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| IRF333 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF333 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF333 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V |
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| IRF333 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 350V 4.5A 3-Pin (2+Tab) TO-3 |
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| IRF-333+/-10% | VISHAY |
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General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 33 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE |
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| IRF-3330+/-10% | VISHAY |
获取价格 |
General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 330 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL L |
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| IRF-333010% | VISHAY |
获取价格 |
General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 330 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
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| IRF-3330UH+-10%B08 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 10%, Ferrite-Core, |
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| IRF-3330UH+-10%EBE2 | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 10%, Ferrite-Core, |
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