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IR340LM02CS02CB

更新时间： 2024-11-29 20:56:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速恢复二极管
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4页 48K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER

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IR340LM02CS02CB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：WAFER
包装说明：WAFERReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.83应用：FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JESD-30 代码：R-XUUC-N1湿度敏感等级：1
元件数量：1相数：1
端子数量：1封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IR340LM02CS02CB 数据手册

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Bulletin I0152J 10/03  
IR340LM..CS02CB SERIES  
FAST RECOVERY DIODES  
Junction Size:  
Wafer Size:  
Rectangular 350 x 230 mils  
4"  
VRRM Class:  
200 to 600 V  
Passivation Process:  
Glassivated MOAT  
Reference IR Packaged Part: 60EPF Series  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters  
Units  
TestConditions  
VFM  
MaximumForwardVoltage  
1300 mV  
TJ = 25°C, IF = 60 A  
VRRM Reverse BreakdownVoltageRange  
200 to 600 V TJ = 25°C, IRRM = 100 µA  
(1)  
(1) Nitrogen flow on die edge.  
Mechanical Characteristics  
Nominal Back Metal Composition, Thickness  
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)  
100% Al, (20 µm)  
Nominal Front Metal Composition, Thickness  
ChipDimensions  
350 x 230 mils (8.89x5.84 mm) - see drawing  
Wafer Diameter  
100 mm, with std. < 110 > flat  
Wafer Thickness  
260 µm  
45 µm  
Maximum Width of Sawing Line  
Reject Ink Dot Size  
InkDotLocation  
0.25 mm diameter minimum  
Seedrawing  
RecommendedStorageEnvironment  
nitrogen,withnocontamination  
Storageinoriginalcontainer, indessicated  
Document Number: 93899  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IR340LM06CS02 VISHAY

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