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IR24DSR18L

更新时间： 2024-10-01 20:48:07

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威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element

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IR24DSR18L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, O-XUUC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.40	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	600 mA
JESD-30 代码：	O-XUUC-N2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	断态重复峰值电压：	1800 V
重复峰值反向电压：	1800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

IR24DSR18L 数据手册

Bulletin I0401J

IR24DSR..L SERIES

PHASE CONTROL THYRISTORS

Junction Size:

V_RRMClass:

24 mm Diameter

400 to 2000 V

Passivation Process:

Diffused Junction

Reference IR Packaged Part: ST180C..C Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

Test Conditions

V_TM

Maximum On-state Voltage

1.96 V

T_J= 125°C, I_T= 750 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage Range

400 to 2000 V T_J= 125°C, I_RRM= 30 mA

I_GT

V_GT

I_H

Max. Required DC Gate Current to Trigger

Max. Required DC Gate Voltage to Trigger

Maximum Holding Current

150 mA

3.0 V

T_J=25°C

600 mA

T_J=125°C,anodesupply12Vresistiveload

I_L

Max. (typical) Latching Current

1000 (300) mA T_J=125°C,anodesupply12Vresistiveload

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition

Nominal Front Metal Composition

Chip Dimensions

Al - Ni - Au (100KA - 7KA - 4KA)

Nickel plate molybdenum disc

24 mm diameter (see drawing)

RecommendedStorageEnvironment

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, withnocontamination

Document Number: 93894

www.vishay.com

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IR-25.6UH+-10%EBE2	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 5.6uH, 10%, Iron-Core,
IR-25.6UH+-10%ERE2	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 5.6uH, 10%, Iron-Core,
IR-25.6UH+-10%ESE2	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 5.6uH, 10%, Iron-Core,