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IR24EDR25L

更新时间： 2024-10-01 20:05:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		高功率电源二极管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2500V V(RRM), Silicon,

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IR24EDR25L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-XUUC-N1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.92	应用：	HIGH POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.35 V	JESD-30 代码：	O-XUUC-N1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2500 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IR24EDR25L 数据手册

Bulletin I0306J rev. A 02/03

IR24EDR..L SERIES

HIGH POWER RECTIFIER DIODES

Junction Size:

24 mm Diameter

V_RRMClass:

1600 to 2500 V

Passivation Process:

Reference IR Packaged Part:

Diffused Junction

SD400C..C Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

Test Conditions

V_FM

Maximum Forward Voltage

1.35 V

T_J= 25°C, I_F= 1000 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage Range

1600to2500V T_J= 150°C, I_RRM= 15 mA

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition

Al - Ni - Au

Nominal Front Metal Composition

Chip Dimensions

Nickel plate Molibdenum disc

24 mm diameter (see drawing)

Recommended Storage Environment

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

Document Number: 93895

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IR250BG06D	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
IR250BG06D	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER