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IR2112

更新时间: 2024-01-01 19:03:08
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英飞凌 - INFINEON 驱动器
页数 文件大小 规格书
17页 180K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

IR2112 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP, SOP16,.4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:0.96
高边驱动器:YES接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G16JESD-609代码:e3
长度:10.3 mm湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:16
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:0.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP16,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:10 V标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V电源电压1-分钟:5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.16 µs接通时间:0.18 µs
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

IR2112 数据手册

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IR2112(S)&(PbF)  
250  
200  
150  
100  
50  
250  
200  
150  
100  
50  
Max.  
Typ.  
Max.  
Typ.  
0
0
10  
12  
14  
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18  
20  
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0
25  
50  
75 100 125  
CC BS  
/V Supply Voltage (V)  
V
Temperature (°C)  
Figure 9B. Shutdown Delay Time  
vs. VCC/VBS Supply Voltage  
Figure 9A. Shutdown Time vs. Temperature  
400  
250  
200  
150  
100  
50  
300  
Max.  
Max.  
Typ.  
200  
100  
Typ.  
0
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125  
Temperature (°C)  
VDD Supply Voltage (V)  
Figure 9C. Shutdown Time vs. VDD Supply Voltage  
Figure 10A. Turn-On Rise Time vs. Temperature  
250  
125  
100  
200  
Max.  
150  
100  
75  
Max.  
50  
Typ.  
25  
50  
Typ.  
0
0
-50 -25  
0
25  
50  
75 100 125  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
Temperature (°C)  
VBIAS Supply Voltage (V)  
Figure 10B. Turn-On Rise Time vs. Voltage  
Figure 11A Turn-On Fall Time vs. Temperature  
www.irf.com  
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