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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IR2110STRPBF
IR2110STRPBF PDF预览

IR2110STRPBF

更新时间： 2024-01-14 21:21:57
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口
页数 文件大小 规格书
18页 334K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2110STRPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：MS-013AA, SOIC-16针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：3.08
Is Samacsys：N高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3长度：10.3 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：2.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：3.3 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：520 V
电源电压1-分钟：6 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30断开时间：0.125 µs
接通时间：0.15 µs宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

IR2110STRPBF 数据手册

 浏览型号IR2110STRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IR2110STRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IR2110STRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IR2110STRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IR2110STRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IR2110STRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V , V ) = 15V, C = 1000 pF, T = 25°C and V  
= COM unless otherwise specified. The dynamic  
BIAS  
CC BS DD  
L
A
SS  
electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.  
Symbol  
Definition  
Turn-on propagation delay  
Turn-off propagation delay  
Shutdown propagation delay  
Turn-on rise time  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
7
8
—
—
—
—
—
120  
94  
150  
125  
140  
35  
V = 0V  
S
on  
t
V
V
= 500V/600V  
= 500V/600V  
off  
S
t
sd  
9
110  
25  
S
ns  
t
r
10  
11  
t
f
Turn-off fall time  
17  
25  
MT  
Delay matching, HS & LS  
turn-on/off  
(IR2110)  
(IR2113)  
—
—
—
—
—
—
10  
20  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V , V ) = 15V, T = 25°C and V = COM unless otherwise specified. The V , V and I parameters  
BIAS CC BS DD  
A
SS  
IN TH  
IN  
are referenced to V and are applicable to all three logic input leads: HIN, LIN and SD. The V and I parameters are  
SS  
O
O
referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.  
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
Logic “1” input voltage  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
9.5  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.0  
1.2  
0.1  
50  
IH  
V
IL  
Logic “0” input voltage  
V
V
OH  
High level output voltage, V  
Low level output voltage, V  
- V  
—
I
I
= 0A  
= 0A  
BIAS  
O
O
V
OL  
—
O
O
I
Offset supply leakage current  
—
V =V = 500V/600V  
B S  
LK  
I
Quiescent V supply current  
BS  
125  
180  
15  
20  
230  
340  
30  
V
= 0V or V  
QBS  
IN  
IN  
IN  
DD  
DD  
DD  
I
Quiescent V  
Quiescent V  
supply current  
supply current  
V
V
= 0V or V  
= 0V or V  
QCC  
CC  
DD  
µA  
I
QDD  
I
Logic “1” input bias current  
Logic “0” input bias current  
40  
V
= V  
IN DD  
IN+  
I
21  
22  
—
—
1.0  
9.7  
V
IN  
= 0V  
IN-  
V
V
supply undervoltage positive going  
BS  
7.5  
8.6  
BSUV+  
threshold  
V
V
supply undervoltage negative going  
23  
24  
25  
26  
27  
7.0  
7.4  
7.0  
2.0  
2.0  
8.2  
8.5  
8.2  
2.5  
2.5  
9.4  
9.6  
9.4  
—
BSUV-  
BS  
threshold  
V supply undervoltage positive going  
CC  
V
CCUV+  
V
threshold  
V supply undervoltage negative going  
CC  
V
CCUV-  
threshold  
I
Output high short circuit pulsed current  
V
O
= 0V, V = V  
IN DD  
O+  
PW ≤ 10 µs  
= 15V, V = 0V  
O IN  
A
I
O-  
Output low short circuit pulsed current  
—
V
PW ≤ 10 µs  
www.irf.com  
3
1234567...18

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