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IR20153S

更新时间: 2024-01-03 04:13:41
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英飞凌 - INFINEON 驱动器
页数 文件大小 规格书
15页 220K
描述
HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE

IR20153S 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.79Is Samacsys:N
高边驱动器:YES接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm湿度敏感等级:2
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
标称输出峰值电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:5 V标称供电电压:5 V
电源电压1-最大:170 V电源电压1-分钟:3.4 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
断开时间:0.9 µs接通时间:2 µs
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

IR20153S 数据手册

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IR20153S & (PbF)  
175  
150  
125  
100  
75  
12  
11  
10  
9
8
-50  
50  
-50  
0
50  
100  
150  
0
50  
100  
150  
Temperature (oC)  
Temperature (oC)  
Figure 16. High Logic Level RES Input Resistance  
vs. Temperature, VBS=7V  
Figure 17. Recharge Transistor Turn-on  
Propagation Delay vs. Temperature, VBS=7V  
320  
300  
280  
260  
240  
220  
200  
11  
10.5  
10  
9.5  
9
8.5  
8
-50  
0
50  
100  
150  
-50  
0
50  
100  
150  
Temperature (oC)  
Temperature (oC)  
Figure 18. Recharge Transistor Turn-off  
Propagation Delay vs. Temperature, VBS=7V  
Figure 19. High Side Turn-off to Recharge Gate  
Turn-on vs. Temperature, VBS=7V  
www.irf.com  
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