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IR207DM08C

更新时间： 2024-02-15 20:57:34

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 800V V(RRM), Silicon, WAFER

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IR207DM08C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	元件数量：	1
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Rectifier Diodes
Base Number Matches：	1

IR207DM08C 数据手册

Bulletin I0139J 01/00

IR207DM..CCB Series

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Rectangular 207 x 157 mils

V_RRMClass:

800 and 1200 V

Glassivated MOAT

Passivation Process:

Reference IR Packaged Part: 20ETS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

Test Conditions

V_FM

MaximumForwardVoltage

1100mV

T_J= Amb., I_F= 2 0 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage Range

800 and 1200 V T_J= Amb., I_RRM= 100 µA

(1)

(1)Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

NominalBackMetalComposition,Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

NominalFrontMetalComposition,Thickness

ChipDimensions

207x157mils(seedrawing)

100mm,withstd.<110>flat

300 µm

Wafer Diameter

Wafer Thickness

MaximumWidthofSawingLine

45 µm

Reject Ink Dot Size

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer,indessicated

nitrogen,withnocontamination

Document Number: 93888

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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