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IR207DM16C

更新时间： 2024-01-10 13:10:30

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	104K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1600V V(RRM)

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IR207DM16C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	R-XUUC-N1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.92	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.15 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N1	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IR207DM16C 数据手册

Bulletin I0140J 09/00

IR207DM16CCB

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Rectangular 207 x 157 mils

Wafer Size:

V_RRMClass:

1600 V

Passivation Process:

Reference IR Packaged Part:

Glassivated MOAT

20ETS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

TestConditions

V_FM

MaximumForwardVoltage

1.15V

T_J= 25°C, I_F= 20 A

V_RRMReverseBreakdownVoltage

1600 V (**)

T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(*)

(*) Nitrogen flow on die edge.

(**)WaferanddieProbetestclampedat1200Vtolimitarcing.1600V BVtestable only in encapsulated packages

Mechanical Characteristics

NominalBackMetalComposition, Thickness

NominalFrontMetalComposition, Thickness

ChipDimensions

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

207 x 157 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

330 µm, ± 10 µm

WaferDiameter

WaferThickness

MaximumWidthofSawingLine

45 µm

Reject Ink Dot Size

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer, indessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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