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IR207LM06CS02CBPBF

更新时间： 2024-01-10 16:03:10

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英飞凌 - INFINEON		快速恢复二极管
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3页	121K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER

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技术参数
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IR207LM06CS02CBPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.72	应用：	FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XUUC-N
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.2 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

IR207LM06CS02CBPBF 数据手册

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Bulletin I0138J rev. A 05/00

IR207LM..CS02CB SERIES

FAST RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Rectangular 207 x 157 mils

V_RRMClass:

200 to 600 V

PassivationProcess:

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part: 20ETF Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

TestConditions

V_FM

MaximumForwardVoltage

1300mV

T_J=25°C, I_F= 20 A

V_RRMReverse BreakdownVoltageRange

200 to 600 V T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(1)

(1) Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

NominalBackMetalComposition, Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

NominalFrontMetalComposition, Thickness

ChipDimensions

207 x 157 mils (5.26x3.99 mm) - see drawing

100 mm, with std. < 110 > flat

260 µm

WaferDiameter

WaferThickness

MaximumWidthofSawingLine

Reject Ink Dot Size

45 µm

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer, indessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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