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IR207DM12CCB

更新时间： 2024-02-09 03:44:40

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1200V V(RRM)

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IR207DM12CCB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	WAFER	包装说明：	R-XUUC-N1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.92
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IR207DM12CCB 数据手册

Bulletin I0139J 01/00

IR207DM..CCB Series

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Rectangular 207 x 157 mils

V_RRMClass:

800 and 1200 V

Glassivated MOAT

Passivation Process:

Reference IR Packaged Part: 20ETS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

Test Conditions

V_FM

MaximumForwardVoltage

1100mV

T_J= Amb., I_F= 2 0 A

V_RRMReverse Breakdown Voltage Range

800 and 1200 V T_J= Amb., I_RRM= 100 µA

(1)

(1)Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

NominalBackMetalComposition,Thickness

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

NominalFrontMetalComposition,Thickness

ChipDimensions

207x157mils(seedrawing)

100mm,withstd.<110>flat

300 µm

Wafer Diameter

Wafer Thickness

MaximumWidthofSawingLine

45 µm

Reject Ink Dot Size

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer,indessicated

nitrogen,withnocontamination

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IR207DM16C	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Element, 1600V V(RRM)	获取价格
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IR207LM02CS02	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, 4 INCH, WAFER	获取价格
IR207LM02CS02CBPBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER	获取价格
IR207LM02CS02PBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER	获取价格