IPSH6N03LB

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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPSH6N03LB 数据手册

IPUH6N03LB

IPSH6N03LB

1 Power dissipation

2 Drain current

_tot=f(T _C)

I _D=f(T _C); V _GS≥10 V

100

150

200

100

150

200

_C[°C]

3 Safe operating area

I _D=f(V _DS); T _C=25 °C; D =0

parameter: t _p

4 Max. transient thermal impedance

_thJC=f(t _p)

parameter: D =t _p/T

1000

1 µs

limited by on-state

resistance

0.5

10 µs

100

0.2

0.1

100 µs

0.05

0.1

0.02

1 ms

single pulse

0.01

10 ms

0.01

0.001

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

0.1

100

_p[s]

_DS[V]

Rev. 0.3

page 4

2006-05-15

1 2 345 6 7...10

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