IPSH6N03LB

更新时间： 2024-01-02 03:57:09

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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPSH6N03LB 数据手册

IPUH6N03LB

IPSH6N03LB

9 Drain-source on-state resistance

10 Typ. gate threshold voltage

_DS(on)=f(T _j); I _D=50 A; V _GS=10 V

V _GS(th)=f(T _j); V _GS=V _DS

parameter: I _D

2.5

1.5

400 µA

98 %

40 µA

typ

0.5

-60

-20

100

140

180

-60

-20

T _j[°C]

100

140

180

T _j[°C]

11 Typ. Capacitances

12 Forward characteristics of reverse diode

I _F=f(V _SD

C =f(V _DS); V _GS=0 V; f =1 MHz

)

parameter: T _j

10000

1000

Ciss

25 °C

Coss

1000

100

175°C 98%

175 °C

Crss

25°C 98%

_DS[V]

0.0

0.5

1.0

_SD[V]

1.5

2.0

Rev. 0.3

page 6

2006-05-15

1...3 4 567 8 9 10

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