IPSH6N03LB

更新时间： 2024-01-13 04:00:01

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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPSH6N03LB 数据手册

IPUH6N03LB

14 Typ. gate charge

_GS=f(Q _gate); I _D=25 A pulsed

IPSH6N03LB

13 Avalanche characteristics

_AS=f(t _AV); R _GS=25 Ω

parameter: T_j(start)

parameter: V _DD

100

15 V

20 V

25 °C

5 V

100 °C

150 °C

100

1000

_gate[nC]

_AV[µs]

15 Drain-source breakdown voltage

16 Gate charge waveforms

_BR(DSS)=f(T _j); I _D=1 mA

V _GS

Q _g

V _gs(th)

Q _g(th)

Q _sw

Q _gd

Q _gate

Q _gs

-60

-20

100

140

180

T _j[°C]

Rev. 0.3

page 7

2006-05-15

1...4 5 678 9 10

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