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IPSH4N03LA-G

更新时间: 2024-01-14 09:17:40
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 305K
描述
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

IPSH4N03LA-G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):150 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A
最大漏极电流 (ID):90 A最大漏源导通电阻:0.0044 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPSH4N03LA-G 数据手册

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IPDH4N03LA G  
IPSH4N03LA G  
9 Drain-source on-state resistance  
10 Typ. gate threshold voltage  
R
DS(on)=f(T j); I D=60 A; V GS=10 V  
V GS(th)=f(T j); V GS=V DS  
parameter: I D  
8
7
6
2.5  
2
1.5  
1
400 µA  
5
98 %  
40 µA  
4
typ  
3
2
1
0
0.5  
0
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
-60  
-20  
20  
60  
T j [°C]  
100  
140  
180  
T j [°C]  
11 Typ. capacitances  
12 Forward characteristics of reverse diode  
I F=f(V SD  
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz  
)
parameter: T j  
104  
1000  
25 °C, 98%  
Ciss  
Coss  
175 °C, 98%  
103  
100  
10  
25 °C  
175 °C  
Crss  
102  
101  
1
0
10  
20  
30  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
V
DS [V]  
V
SD [V]  
Rev. 0.92 - target data sheet  
page 7  
2004-10-27  

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