Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPSH4N03LA-G

IPSH4N03LA-G

更新时间： 2024-01-01 03:18:29

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	305K
描述
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPSH4N03LA-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPSH4N03LA-G 数据手册

IPDH4N03LA G

IPSH4N03LA G

5 Typ. output characteristics

I _D=f(V _DS); T _j=25 °C

6 Typ. drain-source on resistance

_DS(on)=f(I _D); T _j=25 °C

parameter: V _GS

100

4.5 V

4 V

3 V

3.2 V

3.4 V

3.7 V

4 V

10 V

3.7 V

3.4 V

3.2 V

4.5 V

10 V

3 V

2.8 V

100

_DS[V]

I_D[A]

7 Typ. transfer characteristics

I _D=f(V _GS); |V _DS|>2|I _D|R _DS(on)max

parameter: T _j

8 Typ. forward transconductance

g _fs=f(I _D); T _j=25 °C

100

140

120

100

175 °C

25 °C

100

_GS[V]

I_D[A]

Rev. 0.92 - target data sheet

page 6

2004-10-27

1...3 4 567 8 9

下载PDF

与IPSH4N03LA-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPSH5N03LA	INFINEON	OptiMOS㈢2 Power-Transistor	获取价格
IPSH5N03LAG	INFINEON	OptiMOS㈢2 Power-Transistor	获取价格
IPSH6N03LAG	INFINEON	OptiMOS㈢2 Power-Transistor	获取价格
IPSH6N03LB	INFINEON	OptiMOS㈢2 Power-Transistor	获取价格
IPSH9N03LAG	INFINEON	OptiMOS㈢2 Power-Transistor	获取价格
IPSLAT	CYNERGY3	Low Range, Intrinsically Safe Pressure Sensor	获取价格