IPP26CNE8NG

更新时间： 2024-10-01 03:44:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPP26CNE8NG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	71 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP26CNE8NG 数据手册

IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G

IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO252)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G

Type

PG-TO263-3

26CNE8N

PG-TO252-3

25CNE8N

PG-TO262-3

26CNE8N

PG-TO220-3

26CNE8N

PG-TO251-3

25CNE8N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

140

I _D=35 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=35 A, V _DS=68 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

jmax

Rev. 1.0

page 1

2006-02-17

12 3 4 5 6 7...13

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