Datasheet > IPP26CN10NGHKSA1

IPP26CN10NGHKSA1

更新时间： 2024-10-01 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1010K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP26CN10NGHKSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP26CN10NGHKSA1 数据手册

IPB26CN10N G IPD25CN10N G

IPI26CN10N G IPP26CN10N G

OptiMOS^™2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

100

• N-channel, normal level

R_{DS(on),max (TO252)}

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB26CN10N G

IPD25CN10N G

IPI26CN10N G

IPP26CN10N G

Package

Marking

PG-TO263-3

26CN10N

PG-TO252-3

25CN10N

PG-TO262-3

26CN10N

PG-TO220-3

26CN10N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

140

I _D=35 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

I _D=35 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

T _j,max=175 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

jmax

Rev. 1.09

page 1

2013-07-09

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与IPP26CN10NGHKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP26CNE8N	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP26CNE8NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP-3004	IPP	获取价格	OUTLINE, DUAL DIRECTIONAL COUPLER
IPP-3064	IPP	获取价格	DUAL DIRECTIONAL COUPLER
IPP-3088	IPP	获取价格	DUAL DIRECTIONAL COUPLER
IPP-3143	IPP	获取价格	OUTLINE, DUAL DIRECTIONAL COUPLER
IPP320N20N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
IPP320N20N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features N-channel, normal level
IPP330P10NM	INFINEON	获取价格	TO-220 封装型 100 V OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 是面向电池管理
IPP339N20NM6	INFINEON	获取价格	IPP339N20NM6 OptiMOS? 6 200 V?is setting the new technology standard. It addresses the nee

与IPP26CN10NGHKSA1相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

35
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

29
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP26CN10NGHKSA1

IPP26CN10NGHKSA1 技术参数

IPP26CN10NGHKSA1 数据手册

与IPP26CN10NGHKSA1相关器件

与IPP26CN10NGHKSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP26CN10NGHKSA1

IPP26CN10NGHKSA1 技术参数

IPP26CN10NGHKSA1 数据手册

与IPP26CN10NGHKSA1相关器件

与IPP26CN10NGHKSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？