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IPP25N06S3L22AKSA1

更新时间： 2024-10-02 04:27:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 55V, 0.0216ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP25N06S3L22AKSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.0216 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP25N06S3L22AKSA1 数据手册

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IPB25N06S3L-22

IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22

OptiMOS^®-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

21.3

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPB25N06S3L-22

IPI25N06S3L-22

IPP25N06S3L-22

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

3N06L22

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

I _D=12.5 A

100

120

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage³⁾

V_GS

±16

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

°C

Rev. 1.1

page 1

2007-11-07

12 3 4 5 6 7...9

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