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IPL60R185C7

更新时间： 2024-02-06 22:31:23

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	1239K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPL60R185C7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
雪崩能效等级（Eas）：	53 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PSSO-N4
湿度敏感等级：	2A	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPL60R185C7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

IPL60R185C7

3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_j=25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

600

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_(GS)th

V_GS=0V,ꢀI_D=1mA

3.5

V_DS=V_GS,ꢀI_D=0.26mA

V_DS=600,ꢀV_GS=0V,ꢀT_j=25°C

V_DS=600,ꢀV_GS=0V,ꢀT_j=150°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

Gate resistance

I_DSS

µA

Ω

I_GSS

100

V_GS=20V,ꢀV_DS=0V

0.159 0.185

0.356

V_GS=10V,ꢀI_D=5.3A,ꢀT_j=25°C

V_GS=10V,ꢀI_D=5.3A,ꢀT_j=150°C

R_DS(on)

R_G

0.85

Ω

f=1MHz,ꢀopenꢀdrain

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

1080

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Input capacitance

Output capacitance

C_iss

V_GS=0V,ꢀV_DS=400V,ꢀf=250kHz

C_oss

Effective output capacitance, energy

related¹⁾

C_o(er)

C_o(tr)

t_d(on)

t_r

349

V_GS=0V,ꢀV_DS=0...400V

Effective output capacitance, time

related²⁾

I_D=constant,ꢀV_GS=0V,ꢀV_DS=0...400V

V_DD=400V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=5.3A,

R_G=10Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Turn-on delay time

Rise time

V_DD=400V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=5.3A,

R_G=10Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

V_DD=400V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=5.3A,

R_G=10Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

V_DD=400V,ꢀV_GS=13V,ꢀI_D=5.3A,

R_G=10Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Q_gs

V_DD=400V,ꢀI_D=5.3A,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10V

Q_gd

Q_g

Gate plateau voltage

V_plateau

5.0

¹⁾ꢀC_o(er)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀstoredꢀenergyꢀasꢀC_ossꢀwhileꢀV_DSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400V

²⁾ꢀC_o(tr)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀchargingꢀtimeꢀasꢀC_ossꢀwhileꢀV_DSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400V

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2015-12-11

1 2 3 456 7 8...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IPL60R199CP	INFINEON	600V CoolMOS CP Power Transistor	获取价格
IPL60R199CPAUMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide	获取价格
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