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IPC70N04S54R6ATMA1 PDF预览

IPC70N04S54R6ATMA1

更新时间： 2024-09-17 20:05:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 387K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TDSON-8-33, 8 PIN

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IPC70N04S54R6ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.63雪崩能效等级（Eas）：32 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：70 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPC70N04S54R6ATMA1 数据手册

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IPC70N04S5-4R6  
OptiMOS™-5 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
4.6  
70  
V
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
Features  
PG-TDSON-8-33  
• OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications  
• N-channel - Enhancement mode - Normal Level  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
1
1
Type  
Package  
Marking  
IPC70N04S5-4R6  
PG-TDSON-8-33 5N044R6  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100°C, VGS=10V1)  
70  
A
54  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
280  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse4)  
Gate source voltage  
I D=35A  
32  
70  
mJ  
A
I AS  
-
VGS  
-
±20  
V
Ptot  
T C=25°C  
Power dissipation  
50  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2016-12-09  
1234567...9

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与IPC70N04S54R6ATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		车规级MOSFET
IPC70N04S5L4R2ATMA1 INFINEON

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