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INA333QDGKRQ1

更新时间： 2024-02-23 23:39:38
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器仪表光电二极管仪表放大器
页数 文件大小 规格书
29页 1349K
描述
汽车类低功耗零漂移精密仪表放大器 | DGK | 8 | -40 to 125

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INA333QDGKRQ1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Preview包装说明：VSSOP-8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.81
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.0002 µA
标称带宽 (3dB)：0.15 MHz最小共模抑制比：80 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.0002 µA最大输入失调电压：25.075 µV
JESD-30 代码：S-PDSO-G8长度：3 mm
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.1 mm
标称压摆率：0.05 V/us子类别：Instrumentation Amplifier
供电电压上限：7 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL最大电压增益：1000
最小电压增益：1标称电压增益：10
宽度：3 mmBase Number Matches：1

INA333QDGKRQ1 数据手册

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INA333-Q1  
www.ti.com.cn  
ZHCSKC7B –SEPTEMBER 2019 –REVISED JUNE 2023  
6 Specifications  
6.1 Absolute Maximum Ratings  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)(1)  
MIN  
MAX  
UNIT  
Single-supply, VS = (V+)  
7
±3.5  
VS  
Supply voltage  
Input voltage  
V
Dual-supply, VS = (V+) –(V–)  
Common-mode  
(V+) + 0.3  
(V–) –0.3  
V
(V+) –(V–) +  
Differential  
0.2  
Input current  
±10  
Continuous  
150  
mA  
Output short circuit(2)  
Operating temperature  
Junction temperature  
Storage temperature  
Continuous  
TA  
°C  
°C  
°C  
–55  
TJ  
150  
Tstg  
150  
–65  
(1) Operation outside of Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. Absolute Maximum Ratings do not  
imply functional operation of the device at these or any other conditions beyond those listed under Recommended Operating  
Conditions. If used outside the Recommended Operating Conditions but within the Absolute Maximum Ratings, the device may not be  
fully functional, and this may affect device reliability, functionality, performance, and shorten the device lifetime.  
(2) Short-circuit to ground, one amplifier per package.  
6.2 ESD Ratings  
VALUE  
UNIT  
Human-body model (HBM), per AEC Q100-002  
HBM ESD classification level 2(1)  
±2000  
V(ESD)  
Electrostatic discharge  
V
Charge device model (CDM), per AEC Q100-011  
CDM ESD classification level C5  
±750  
(1) AEC Q100-002 indicates that HBM stressing shall be in accordance with the ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 specification.  
6.3 Recommended Operating Conditions  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)  
MIN  
1.8  
MAX  
5.5  
UNIT  
VS  
TA  
Supply voltage  
V
Operating temperature  
125  
°C  
–40  
6.4 Thermal Information  
INA333-Q1  
DGK (VSSOP)  
8 PINS  
169.5  
THERMAL METRIC(1)  
UNIT  
RθJA  
Junction-to-ambient thermal resistance  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top)  
RθJB  
Junction-to-case (top) thermal resistance  
Junction-to-board thermal resistance  
62.7  
90.3  
Junction-to-top characterization parameter  
Junction-to-board characterization parameter  
Junction-to-case (bottom) thermal resistance  
7.6  
ψJT  
88.7  
ψJB  
RθJC(bot)  
N/A  
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application  
report.  
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated  
English Data Sheet: SBOS464  
4
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