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INA333SKGD2

更新时间： 2024-11-18 02:58:43
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德州仪器 - TI 放大器
页数 文件大小 规格书
24页 575K
描述
Micro-Power, Zero-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation Amplifier

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INA333SKGD2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：DIE,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：5.85放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：0.0002 µA标称带宽 (3dB)：0.0031 MHz
最小共模抑制比：80 dB最大输入失调电压：25 µV
JESD-30 代码：R-XUUC-N9长度：1.778 mm
最大非线性：0.001%功能数量：1
端子数量：9最高工作温度：210 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP包装方法：TUBE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED标称压摆率：0.04 V/us
子类别：Instrumentation Amplifier供电电压上限：7 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压增益：1000最小电压增益：1
宽度：1.473 mm

INA333SKGD2 数据手册

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INA333-HT  
www.ti.com  
SBOS514 –MARCH 2010  
Micro-Power, Zerø-Drift, Rail-to-Rail Out  
Instrumentation Amplifier  
Check for Samples: INA333-HT  
1
FEATURES  
SUPPORTS EXTREME TEMPERATURE  
APPLICATIONS  
2
•
Low Offset Voltage: 25 mV (max at 25°C),  
G ≥ 100  
•
•
•
•
Controlled Baseline  
One Assembly/Test Site  
One Fabrication Site  
Available in Extreme (–55°C/210°C)  
Temperature Range(1)  
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Drift: 0.2 mV/°C, G ≥ 1000  
Low Noise: 55 nV/√Hz, G ≥ 100  
High CMRR: 100 dB (min at 25°C), G ≥ 10  
Supply Range: +1.8 V to +5.5 V  
Input Voltage: (V–) +0.1 V to (V+) –0.1 V  
Output Range: (V–) +0.05 V to (V+) –0.05V  
Low Quiescent Current: 198 mA  
RFI Filtered Inputs  
•
•
•
•
Extended Product Life Cycle  
Extended Product-Change Notification  
Product Traceability  
Texas Instruments' high temperature products  
utilize highly optimized silicon (die) solutions  
with design and process enhancements to  
maximize performance over extended  
temperatures.  
APPLICATIONS  
•
Down-Hole Drilling  
•
High Temperature Environments  
(1) Custom temperature ranges available  
DESCRIPTION  
The INA333 is a low-power, precision instrumentation amplifier offering excellent accuracy. The versatile 3-op  
amp design, small size, and low power make it ideal for a wide range of portable applications.  
A single external resistor sets any gain from 1 to 1000. The INA333 is designed to use an industry-standard gain  
equation: G = 1 + (100kΩ/RG).  
The INA333 provides very low offset voltage (25 mV at 25°C, G ≥ 100), excellent offset voltage drift (0.2 mV/°C,  
G ≥ 100), and high common-mode rejection (100 dB at 25°C, G ≥ 10). It operates with power supplies as low as  
1.8 V (±0.9V), and quiescent current is only 50 mA—ideal for battery-operated systems. Using autocalibration  
techniques to ensure excellent precision over the extended industrial temperature range, the INA333 also offers  
exceptionally low noise density (55 nV/√Hz) that extends down to dc.  
The INA333 is is specified over the TA = –55°C to +210°C temperature range.  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
All trademarks are the property of their respective owners.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated  
1234567...24

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