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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-16 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.00002 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 2 MHz | 最小共模抑制比： | 75 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.00001 µA | 最大输入失调电压： | 6000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 10.3 mm | 湿度敏感等级： | 3 |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 最大非线性： | 0.04% | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP16,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TR | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 标称压摆率： | 17 V/us |
| 子类别： | Instrumentation Amplifier | 最大压摆率： | 4.5 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压增益： | 10000 |
| 最小电压增益： | 1 | 标称电压增益： | 10 |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| INA111AUE4 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111AU-TR | BB |
获取价格 |
Instrumentation Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, 2MHz Band Width, PDSO16, |
|
| INA111BP | BB |
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High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BP | TI |
获取价格 |
高速 FET 输入仪表放大器 | P | 8 |
|
| INA111BPG4 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BU | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BU | TI |
获取价格 |
高速 FET 输入仪表放大器 | DW | 16 |
|
| INA111BUE4 | BB |
获取价格 |
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
|
| INA111BU-TR | BB |
获取价格 |
Instrumentation Amplifier, 1 Func, 2500uV Offset-Max, 2MHz Band Width, PDSO16, |
|
| INA114 | BB |
获取价格 |
Precision INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
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