Datasheet > IMCI-65656V-40

IMCI-65656V-40

更新时间： 2024-11-12 19:43:27

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	105K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IMCI-65656V-40 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最长访问时间：	40 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000008 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IMCI-65656V-40 数据手册

MATRA MHS

M 65656

32 K × 8 Ultimate CMOS SRAM

Description

The M 65656 is a very low power CMOS static RAM current (Typical value = 0.1 µA) with a fast access time

organized as 32768 × 8 bits. It is manufactured using the at 40 ns. The high stability of the 6T cell provides

MHS high performance CMOS technology named excellent protection against soft errors due to noise.

SCMOS.

Extra protection against heavy ions is given by the use of

With this process, MHS is the first to bring the solution for

applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable

instruments or embarked systems.

an epitaxial layer of a P substrate.

For military/space applications that demand superior

levels of performance and reliability the M 65656 is

processed according to the methods of the latest revision

of the MIL STD 883 (class B or S) and/or ESA SCC 9000.

Using an array of six transistors (6T) memory cells, the

M 65656 combines an extremely low standby supply

Features

D Access time

D Wide temperature range : –55 to + 125°C

D 300 and 600 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

commercial : 35(*), 40, 45, 55 ns

industrial automotive and military : 40(*), 45, 55 ns

D Very low power consumption

active : 50 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

standby : 0.5 µW (typ)

data retention : 0.4 µW (typ)

(*) Preliminary. Consult sales.

D Gated inputs :

no pull-up/down

resistors are required

Interface

Block Diagram

Rev. C (09/08/95)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IMCI-65656V-40相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMCI-65656V-40:D	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28,
IMCI-65656V-40SHXXX	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28,
IMCI-65656V-40SHXXX:D	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28,
IMCI-65656V45	TEMIC	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-28
IMCI-65656V-45SHXXX:D	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, DIP-28
IMCI-65656V-55	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28,
IMCJ-65608L-25	ETC	获取价格	x8 SRAM
IMCJ-65608L-30	ETC	获取价格	x8 SRAM
IMCJ-65608L-35	ETC	获取价格	x8 SRAM
IMCJ-65608L-45	ETC	获取价格	x8 SRAM

与IMCI-65656V-40相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IMCI-65656V-40

IMCI-65656V-40 技术参数

IMCI-65656V-40 数据手册

与IMCI-65656V-40相关器件

与IMCI-65656V-40相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IMCI-65656V-40

IMCI-65656V-40 技术参数

IMCI-65656V-40 数据手册

与IMCI-65656V-40相关器件

与IMCI-65656V-40相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？