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IMCI-65656V-55

更新时间： 2024-09-24 19:43:27

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	105K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28,

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IMCI-65656V-55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.000008 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IMCI-65656V-55 数据手册

MATRA MHS

M 65656

32 K × 8 Ultimate CMOS SRAM

Description

The M 65656 is a very low power CMOS static RAM current (Typical value = 0.1 µA) with a fast access time

organized as 32768 × 8 bits. It is manufactured using the at 40 ns. The high stability of the 6T cell provides

MHS high performance CMOS technology named excellent protection against soft errors due to noise.

SCMOS.

Extra protection against heavy ions is given by the use of

With this process, MHS is the first to bring the solution for

applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable

instruments or embarked systems.

an epitaxial layer of a P substrate.

For military/space applications that demand superior

levels of performance and reliability the M 65656 is

processed according to the methods of the latest revision

of the MIL STD 883 (class B or S) and/or ESA SCC 9000.

Using an array of six transistors (6T) memory cells, the

M 65656 combines an extremely low standby supply

Features

D Access time

D Wide temperature range : –55 to + 125°C

D 300 and 600 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

commercial : 35(*), 40, 45, 55 ns

industrial automotive and military : 40(*), 45, 55 ns

D Very low power consumption

active : 50 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

standby : 0.5 µW (typ)

data retention : 0.4 µW (typ)

(*) Preliminary. Consult sales.

D Gated inputs :

no pull-up/down

resistors are required

Interface

Block Diagram

Rev. C (09/08/95)

12 3 4 5 6 7...9

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