是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.0003 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMC9-65608L-25SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | |
IMC9-65608L-25SHXXX:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-30 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-30:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | |
IMC9-65608L-30SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-35 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-35:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-35SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-35SHXXX:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608L-45 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, |