Datasheet > IMC9-65608V-25

IMC9-65608V-25

更新时间： 2024-11-12 20:30:03

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IMC9-65608V-25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IMC9-65608V-25 数据手册

M65608

128 K x 8 Ultimate CMOS SRAM

Introduction

The M 65608 is a very low power CMOS static RAM

organized as 131072 × 8 bits. It is manufactured using

the TEMIC high performance CMOS technology named

SCMOS.

current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 25 ns over the full commercial temperature range.

The high stability of the 6T cell provides excellent

protection against soft errors due to noise.

With this process, TEMIC brings the solution to

applications where fast computing is as mandatory as

low consumption, such as aerospace electronics,

portable instruments, or embarked systems.

For military/space applications that demand superior

levels of performance and reliability the M 65608 is

processed according to the methods of the latest revision

of the MIL STD 883 (class B or S) and/or ESA SCC

9000.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,

the M 65608 combines an extremely low standby supply

Features

D Access time : commercial : 25/30/35/45 ns

industrial and military : 25/30/35/45 ns

D Very low power consumption

active : 250 mW (Typ)

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

D Gated inputs :

standby : 1 µW (Typ)

data retention : 0.5 µW (Typ)

no pull-up/down

D Wide temperature Range : –55 To +125°C

resistors are required

D 400 Mils width package

Interface

Block Diagram

MATRA MHS

Rev. B (23/03/96)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IMC9-65608V-25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMC9-65608V-25:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-25SHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
IMC9-65608V-30	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-30:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-30SHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-30SHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-35	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-35:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-35SHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32,
IMC9-65608V-35SHXXX:D	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32,

与IMC9-65608V-25相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IMC9-65608V-25

IMC9-65608V-25 技术参数

IMC9-65608V-25 数据手册

与IMC9-65608V-25相关器件

与IMC9-65608V-25相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IMC9-65608V-25

IMC9-65608V-25 技术参数

IMC9-65608V-25 数据手册

与IMC9-65608V-25相关器件

与IMC9-65608V-25相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？