是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.81 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMC9-65608V-25:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-25SHXXX:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | |
IMC9-65608V-30 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-30:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-30SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-30SHXXX:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-35 | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-35:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-35SHXXX | TEMIC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
IMC9-65608V-35SHXXX:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, |