Datasheet > IMBG120R078M2H

IMBG120R078M2H

更新时间： 2024-04-09 19:02:40

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
17页	1296K
描述
这款第二代1200 V、78 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（TO-263-7）封装，它在第一代技术优势的基础上进行了改进，可加快系统设计，提供更经济、高效、紧凑且可靠的

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IMBG120R078M2H 数据手册

IMBG120R078M2H

CoolSiC^™1200 V SiC MOSFET G2

2 MOSFET

Table 4

(continued) Characteristic values

Parameter

Symbol Note or test condition

Values

Typ.

4.6

Unit

Min.

Max.

Plateau gate charge

Gate-to-drain charge

Turn-on delay time

Q_GS(pl)V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A, V_GS= -2/18 V, turn-on

pulse

Q_GD

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A, V_GS= -2/18 V, turn-on

pulse

5.3

t_d(on)

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A,

V_GS= 0/18 V,

T_vj= 25 °C

T_vj= 175 °C

1.7

R_GS(on)= 2.3 Ω,

R_GS(oﬀ)= 2.3 Ω,

L = 15 nH, diode: body

diode at V_GS= 0 V

Rise time

t_r

t_d(oﬀ)

t_f

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A,

V_GS= 0/18 V,

T_vj= 25 °C

13.4

13.3

µJ

T_vj= 175 °C

R_GS(on)= 2.3 Ω,

R_GS(oﬀ)= 2.3 Ω,

L = 15 nH, diode: body

diode at V_GS= 0 V

Turn-oﬀ delay time

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A,

V_GS= 0/18 V,

T_vj= 25 °C

3.4

T_vj= 175 °C

R_GS(on)= 2.3 Ω,

R_GS(oﬀ)= 2.3 Ω,

L = 15 nH, diode: body

diode at V_GS= 0 V

Fall time

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A,

V_GS= 0/18 V,

T_vj= 25 °C

T_vj= 175 °C

2.4

R_GS(on)= 2.3 Ω,

R_GS(oﬀ)= 2.3 Ω,

L = 15 nH, diode: body

diode at V_GS= 0 V

Turn-on energy

Turn-oﬀ energy

E_on

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A,

V_GS= 0/18 V,

T_vj= 25 °C

T_vj= 175 °C

R_GS(on)= 2.3 Ω,

R_GS(oﬀ)= 2.3 Ω,

L = 15 nH, diode: body

diode at V_GS= 0 V

E_oﬀ

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A,

V_GS= 0/18 V,

T_vj= 25 °C

T_vj= 175 °C

19.7

R_GS(on)= 2.3 Ω,

R_GS(oﬀ)= 2.3 Ω,

L = 15 nH, diode: body

diode at V_GS= 0 V

(table continues...)

Datasheet

Revision 1.10

2024-01-12

1 2 3 456 7 8...17

下载PDF

与IMBG120R078M2H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IMBG120R090M1H	INFINEON	是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSi	获取价格
IMBG120R116M2H	INFINEON	这款第二代1200 V、116 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（	获取价格
IMBG120R140M1H	INFINEON	是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 140 mΩ CoolS	获取价格
IMBG120R181M2H	INFINEON	这款第二代1200 V、181 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（	获取价格
IMBG120R220M1H	INFINEON	是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 220 mΩ CoolS	获取价格
IMBG120R234M2H	INFINEON	这款第二代1200 V、234 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（	获取价格