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IMBG120R078M2H

更新时间： 2024-04-09 19:02:40

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描述
这款第二代1200 V、78 mΩ?CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L（TO-263-7）封装，它在第一代技术优势的基础上进行了改进，可加快系统设计，提供更经济、高效、紧凑且可靠的

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IMBG120R078M2H 数据手册

IMBG120R078M2H

CoolSiC^™1200 V SiC MOSFET G2

2 MOSFET

Table 3

Recommended values

Parameter

Symbol Note or test condition

Values

Unit

Recommended turn-on

gate voltage

V_GS(on)

15...18

Recommended turn-oﬀ

gate voltage

V_GS(oﬀ)

-5...0

Table 4

Characteristic values

Parameter

Symbol Note or test condition

Values

Typ.

Unit

Min.

Max.

Drain-source on-state

resistance

R_DS(on)I_D= 8.9 A

T_vj= 25 °C,

V_GS(on)= 18 V

78.1

mΩ

T_vj= 150 °C,

V_GS(on)= 18 V

159

185

97.5

206

T_vj= 175 °C,

V_GS(on)= 18 V

T_vj= 25 °C,

V_GS(on)= 15 V

Gate-source threshold

voltage

V_GS(th)I_D= 2.8 mA, V_DS= V_GS

(tested afꢀr 1 ms pulse

at V_GS= 20 V)

T_vj= 25 °C

3.5

4.2

3.2

5.1

T_vj= 175 °C

Zero gate-voltage drain

current

I_DSS

V_DS= 1200 V, V_GS= 0 V

T_vj= 25 °C

T_vj= 175 °C

V_GS= 23 V

V_GS= -10 V

µA

1.3

Gate leakage current

I_GSS

V_DS= 0 V

120

-120

Forward transconductance

Internal gate resistance

Input capacitance

g_fs

R_G,int

C_iss

I_D= 8.9 A, V_DS= 20 V

4.1

f = 1 MHz, V_AC= 25 mV

Ω

V_DD= 800 V, V_GS= 0 V, f = 100 kHz, V_AC= 25 mV

700

Output capacitance

C_oss

C_rss

Reverse transfer

capacitance

2.4

C_ossstored energy

Output charge

E_oss

Q_oss

C_o(er)

V_DD= 800 V, V_GS= 0 V, f = 100 kHz, V_AC= 25 mV

Calculated by C_oss(f)V_DS@100 kHz

V_DD= 0...800 V, V_GS= 0 V

µJ

43.4

37.5

Eﬀꢀctivꢀ output

capacitance, energy

Eﬀꢀctivꢀ output

C_o(tr)

Q_G

I_C= constant, V_DD= 0...800 V, V_GS= 0 V

54.2

20.6

capacitance, time related

Total gate charge

(table continues...)

Datasheet

V_DD= 800 V, I_D= 8.9 A, V_GS= -2/18 V, turn-on

pulse

Revision 1.10

2024-01-12

1 2 345 6 7...17

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