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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMB10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
|
| IMB100 | AXIOMTEK |
获取价格 |
2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB |
|
| IMB100VGGA | AXIOMTEK |
获取价格 |
2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB |
|
| IMB10A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| IMB10AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, |
|
| IMB10AT148 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SMT6, S |
|
| IMB11 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO |
|
| IMB11A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| IMB11AFRAT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| IMB11AFRAT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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