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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMB10A
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IMB10A

更新时间： 2024-01-30 22:31:41
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMB10A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.49其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IMB10A 数据手册

 浏览型号IMB10A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IMB10A的Datasheet PDF文件第3页 
EMB10 / UMB10N / IMB10A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMB10 / UMB10N / IMB10A  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMB10  
( )  
4
( )  
5
( )  
6
( )  
3
( )  
2
( )  
1
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
1.2  
1.6  
Each lead has same dimensions  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
ROHM : EMT6 Abbreviated symbol : B10  
UMB10N  
zStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
1.25  
2.1  
The following characteristics apply to both DTr1 and  
DTr2.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
zEquivalent circuit  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Abbreviated symbol : B10  
EMB10 / UMB10N  
IMB10A  
(4) (5) (6)  
IMB10A  
(3) (2) (1)  
R1  
R2  
R1  
R2  
DTr  
1
DTr1  
DTr2  
DTr2  
R
1=2.2kΩ  
R1=2.2kΩ  
R
2
R2=47kΩ  
R
1
R
2
R2=47kΩ  
R
1
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
1.6  
2.8  
0.3to0.6  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
Each lead has same dimensions  
Supply voltage  
VCC  
−50  
−12  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Abbreviated symbol : B10  
Input voltage  
VIN  
V
5
I
O
−100  
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
−100  
1
2
EMB10, UMB10N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
dissipation  
Pd  
mW ∗  
IMB10A  
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMB10AT108 ROHM

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