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IMB16T110 PDF预览

IMB16T110

更新时间： 2024-09-30 21:14:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, 6 PIN

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IMB16T110 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.78
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.6最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

IMB16T110 数据手册

 浏览型号IMB16T110的Datasheet PDF文件第2页 
IMB16  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
IMB16  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zFeatures  
1) Two DTB143X chips in a SMT package.  
IMB16  
zEquivalent circuit  
1.6  
2.8  
(4)  
(5)  
(6)  
R
1
R2  
0.3to0.6  
R2  
R1  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Each lead has same dimensions  
(3)  
(2)  
(1)  
zPackage, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
IMB16  
SMT6  
B16  
Marking  
Code  
T110  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
−50  
Unit  
V
VCC  
−30  
Input voltage  
V
IN  
V
7
Output current  
I
O
−500  
mA  
mW  
°C  
Power dissipation  
Junction temperature  
Pd  
Tj  
300(TOTAL)  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−50~  
+150  
°C  
200mW per element must not be exceeded.  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
−0.3  
−
Conditions  
Unit  
V
V
I (off)  
−
−2.5  
−
V
CC=−5V, I  
=−0.3V, I  
/I =−50mA/−2.5mA  
=−5V  
CC=−50V, V  
=−50mA, V  
CE=−10V, I  
O
=−100µA  
Input voltage  
VI (on)  
−
V
O
O=−20mA  
Output voltage  
Input current  
VO (on)  
−
−0.3  
−1.8  
−0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
I
I
−
−
V
V
I
Output current  
DC current gain  
I
O (off)  
−
−
I
=0V  
=−5V  
1
2
G
I
56  
−
−
I
O
O
Transition frequency  
Input resistance  
Resistance ratio  
fT  
200  
4.7  
2.1  
−
MHz  
kΩ  
−
V
E
=50mA, f=100MHz  
−
R1  
3.29  
1.7  
6.11  
2.6  
R2  
/ R1  
−
1 Measured using pulse current.  
2 Transition frequency of the device.  
12

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