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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMB14AT109 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
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| IMB16 | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TSOP |
|
| IMB16T110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74, |
|
| IMB17A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| IMB17AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SMT6, S |
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| IMB18-08BNOVU2S | SICK |
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INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
|
| IMB18-08BPOVU2S | SICK |
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INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
|
| IMB18-12NNOVU2K | SICK |
获取价格 |
INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
|
| IMB18-12NNSVU2S | SICK |
获取价格 |
INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
|
| IMB18-12NPOVU2K | SICK |
获取价格 |
INDUCTIVE PROXIMITY SENSORS |
|
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