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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMB11A
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IMB11A

更新时间： 2024-09-29 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMB11A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.49其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IMB11A 数据手册

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EMB11 / UMB11N / IMB11A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMB11 / UMB11N / IMB11A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Two DTA114E chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMB11  
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT6  
UMB11N  
Abbreviated symbol : B11  
zStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
1.25  
2.1  
The following characteristics apply to both DTr1 and  
DTr2.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Abbreviated symbol : B11  
zEquivalent circuit  
IMB11A  
EMB11 / UMB11N  
IMB11A  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
R1  
R2  
R1  
R2  
DTr  
1
DTr1  
DTr2  
DTr2  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
1.6  
2.8  
R
2
R2  
R
1
R
2
R2  
R
1
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Abbreviated symbol : B11  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
−50  
Unit  
VCC  
V
−40  
Input voltage  
VIN  
V
10  
I
O
−50  
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
−100  
1
2
EMB11, UMB11N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
dissipation  
Pd  
mW ∗  
IMB11A  
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/2  
123

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