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IDT7M203S55CB

更新时间: 2024-09-29 20:20:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 547K
描述
FIFO, 2KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28

IDT7M203S55CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns最大时钟频率 (fCLK):14 MHz
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:18432 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9端子数量:28
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX9
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)子类别:FIFOs
最大压摆率:0.23 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:6
Base Number Matches:1

IDT7M203S55CB 数据手册

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