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IDT7M205S120CB

更新时间： 2024-01-11 17:58:24

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	339K
描述
FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDMA28

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IDT7M205S120CB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	7 MHz	周期时间：	140 ns
JESD-30 代码：	R-CDMA-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	73728 bit	内存集成电路类型：	OTHER FIFO
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX9	可输出：	NO
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流：	0.048 A	子类别：	FIFOs
最大压摆率：	0.35 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7M205S30CB	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7M205S35C	IDT	获取价格	FIFO, 8KX9, 35ns, Asynchronous, CDMA28
IDT7M205S40C	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7M205S40CB	IDT	获取价格	FIFO, 8KX9, 40ns, Asynchronous, CDMA28
IDT7M205S50C	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7M205S50CB	IDT	获取价格	FIFO, 8KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDMA28
IDT7M205S60C	IDT	获取价格	FIFO, 8KX9, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDMA28
IDT7M205S60CB	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7M205S70C	ETC	获取价格	x9 Asynchronous FIFO
IDT7M205S70CB	IDT	获取价格	FIFO, 8KX9, 70ns, Asynchronous, CMOS, CDMA28