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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 7.1 MHz | 周期时间： | 140 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 294912 bit | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流： | 0.048 A |
| 子类别： | FIFOs | 最大压摆率： | 0.72 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M207S20C | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S25C | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S30C | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S30CB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S35C | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S35CB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S40C | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S40CB | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S50C | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| IDT7M207S50CB | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
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