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IDT7M205S85C

更新时间: 2024-01-22 01:40:16
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其他 - ETC 先进先出芯片
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12页 343K
描述
x9 Asynchronous FIFO

IDT7M205S85C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
最大时钟频率 (fCLK):10 MHz周期时间:105 ns
JESD-30 代码:R-CDMA-T28JESD-609代码:e0
内存密度:73728 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX9可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流:0.048 A子类别:FIFOs
最大压摆率:0.35 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDT7M205S85C 数据手册

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