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IDT7M205S60C

更新时间: 2024-01-09 01:39:49
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艾迪悌 - IDT 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 339K
描述
FIFO, 8KX9, 60ns, Asynchronous, CMOS, CDMA28

IDT7M205S60C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.87
最长访问时间:60 ns最大时钟频率 (fCLK):13 MHz
周期时间:75 nsJESD-30 代码:R-CDMA-T28
JESD-609代码:e0内存密度:73728 bit
内存集成电路类型:OTHER FIFO内存宽度:9
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX9
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.032 A子类别:FIFOs
最大压摆率:0.264 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDT7M205S60C 数据手册

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