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IDT7M203S65C

更新时间: 2024-09-29 20:20:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 547K
描述
FIFO, 2KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28

IDT7M203S65C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.89
最长访问时间:65 ns最大时钟频率 (fCLK):12 MHz
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:18432 bit内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9端子数量:28
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX9
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:FIFOs最大压摆率:0.176 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT7M203S65C 数据手册

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