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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 140 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 6 MHz |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 36864 bit | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 4KX9 |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.23 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M204S35C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M204S40C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M204S50C | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7M204S50CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M204S55C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M204S55CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 55ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M204S65C | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M204S65CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 65ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28 |
|
| IDT7M205S120C | ETC |
获取价格 |
x9 Asynchronous FIFO |
|
| IDT7M205S120CB | IDT |
获取价格 |
FIFO, 8KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CDMA28 |
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